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ARCHIVE INFORMATION
MRF9120LR3
11
Freescale Semiconductor
RF Product Device Data
REVISION HISTORY
The following table summarizes revisions to this document.
Revision
Date
Description
10
Dec. 2009
?
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MRFE6P3300HR5 MOSFET RF N-CH 300W 32V NI-860C3
MRFE6P9220HR3 MOSFET RF N-CH 200W NI-860C3
MRFE6S8046NR1 MOSFET RF N-CH 45W TO-270-4
MRFE6S9045NR1 MOSFET RF N-CH 10W TO-270-2
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MRFE6S9060NR1 MOSFET RF N-CH 14W TO270-2
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MRFE6S9130HSR5 MOSFET RF N-CH 27W NI-780S
相关代理商/技术参数
MRF9120LR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 120W 880MHZ NI860L FET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF9120R3 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF9130L 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF9130LR3 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF9130LSR3 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF9135L 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF9135LR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF PWR LDMOS NI-780L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF9135LR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 135W 900MHZ LDMOS NI780L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray